Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 8 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, SQ3493EV系列

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包装方式:
RS 库存编号:
210-5024P
制造商零件编号:
SQ3493EV-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

TSOP

系列

SQ3493EV

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

16mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

12 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22.7nC

最大功耗 Pd

5W

正向电压 Vf

-1.2V

最高工作温度

150°C

宽度

1.7 mm

长度

3.1mm

高度

1.1mm

标准/认证

No

汽车标准

Vishay 汽车 p 沟道 20 v ( d-s ) 175 °c mosfet 采用 tsop -6 封装类型。

符合 AEC-Q101

经过 100% rg 和 uis 测试

符合 RoHS