Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 330 A, SO-8, 表面安装, 4引脚, SQJ138EP系列

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制造商零件编号:
SQJ138EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

330A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SO-8

系列

SQJ138EP

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

1.5mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

58nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

312W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

高度

1.12mm

长度

6.25mm

宽度

5.26 mm

标准/认证

No

汽车标准

兼有 powerpak so-240v 封装类型的 °系列的 8L v ( d-s ) 175 c mosfet Vishay 系列产品均采用 封装。

trench场 效应第四代功率 mosfet

符合 AEC-Q101

经过 100% rg 和 uis 测试

qgd/qgs 比 < 1 优化了切换特性