Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 266 A, SO-8, 表面安装, 4引脚, SQJ140EP-T1_GE3, SQJ140EP系列

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210-5031
制造商零件编号:
SQJ140EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

266A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SO-8

系列

SQJ140EP

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

49.2nC

最大功耗 Pd

88W

最高工作温度

150°C

长度

6.25mm

高度

1.12mm

标准/认证

No

宽度

5.26 mm

汽车标准

Vishay 汽车 n 沟道 40 v ( d-s ) 175 °c mosfet 采用 powerpak so-215v 8L 封装类型、具有 266 a 漏极电流。

trench场 效应第四代功率 mosfet

符合 AEC-Q101

经过 100% rg 和 uis 测试

qgd/qgs 比 < 1 优化了切换特性

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。