Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 167 A, SO-8, 表面安装, 4引脚, SQJ142EP-T1_GE3, SQJ142EP系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 10 件)*

¥62.75

(不含税)

¥70.91

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
供应短缺
  • 12,000 件将从其他地点发货
我们目前的库存有限,并且我们的供应商预计会出现缺货。
单位
每单位
每包*
10 - 740RMB6.275RMB62.75
750 - 1490RMB6.088RMB60.88
1500 +RMB5.905RMB59.05

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
210-5036
制造商零件编号:
SQJ142EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

167A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SO-8

系列

SQJ142EP

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

2.8mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

32nC

最大功耗 Pd

191W

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

宽度

6.25 mm

长度

5mm

标准/认证

No

高度

1.1mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay 汽车 n 沟道 40 v ( d-s ) 175 °c mosfet 采用 powerpak so-240v 8L 封装类型、具有 167 a 漏极电流。

trench场 效应第四代功率 mosfet

符合 AEC-Q101

经过 100% rg 和 uis 测试

qgd/qgs 比 < 1 优化了切换特性