Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 123 A, SO-8, 表面安装, 4引脚, SQJ152ELP系列

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RS 库存编号:
210-5047P
制造商零件编号:
SQJ152ELP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

123A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SO-8

系列

SQJ152ELP

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

4mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22.5nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

136W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

175°C

高度

1.1mm

标准/认证

No

宽度

6.25 mm

长度

5mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay 汽车 n 沟道 40 v ( d-s ) 175 °c mosfet 采用 powerpak so-215v 8L 封装类型、具有 123 a 漏极电流。

trench场 效应第四代功率 mosfet

符合 AEC-Q101

经过 100% rg 和 uis 测试