Vishay N沟道MOS管, Vds=40 V, 30 A, PowerPAK SO-8L Dual, 贴片安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 210-5048
- 制造商零件编号:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
供应短缺
由于全球供应短缺，我们暂时不知道何时会恢复库存。
- RS 库存编号:
- 210-5048
- 制造商零件编号:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | PowerPAK SO-8L Dual | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0059. Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5 → 2.5V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 PowerPAK SO-8L Dual | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 0.0059. Ω | ||
最大栅阈值电压 1.5 → 2.5V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
Vishay 汽车双 n 通道 40 v （ d-s ） 175 °c mosfet 采用 powerpak so-215v 8L 封装类型。
TrenchFET® 功率 MOSFET
符合 AEC-Q101
经过 100% rg 和 uis 测试
符合 AEC-Q101
经过 100% rg 和 uis 测试