Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=75 A, 4针, SO-8, SQJA66EP_RC系列

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RS 库存编号:
210-5051
制造商零件编号:
SQJA66EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

75A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SO-8

系列

SQJA66EP_RC

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

6.9mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

64.9nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

68W

最高工作温度

175°C

高度

1.1mm

长度

5mm

标准/认证

No

宽度

6.25mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay n channel mosfet 采用 powerpak so-2m 8L 封装类型。

和中电路的 r-c 值 包括核心 / 过滤器配置

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