Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 75 A, SO-8, 表面安装, 4引脚, SQJA66EP-T1_GE3, SQJA66EP_RC系列
- RS 库存编号:
- 210-5051
- 制造商零件编号:
- SQJA66EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB89.01
(不含税)
RMB100.58
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年3月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | RMB8.901 | RMB89.01 |
| 750 - 1490 | RMB8.635 | RMB86.35 |
| 1500 + | RMB8.376 | RMB83.76 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 210-5051
- 制造商零件编号:
- SQJA66EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SQJA66EP_RC | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 64.9nC | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SQJA66EP_RC | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 64.9nC | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay n channel mosfet 采用 powerpak so-2m 8L 封装类型。
和中电路的 r-c 值 包括核心 / 过滤器配置