Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 375 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, SQJQ148E-T1_GE3, SQJQ148E系列
- RS 库存编号:
- 210-5060
- 制造商零件编号:
- SQJQ148E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 210-5060
- 制造商零件编号:
- SQJQ148E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 375A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | SQJQ148E | |
| 包装类型 | PowerPAK (8x8L) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 69nC | |
| 最大功耗 Pd | 325W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 8mm | |
| 宽度 | 8.1 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 375A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 SQJQ148E | ||
包装类型 PowerPAK (8x8L) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 69nC | ||
最大功耗 Pd 325W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 8mm | ||
宽度 8.1 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.7mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
该款兼具有 powerpak 8 x 8L 封装类型的兼放电电流 375 a Vishay 汽车 n 沟道 40 v （ d-s ） 175 °c mosfet 。
trench场 效应第四代功率 mosfet
符合 AEC-Q101
经过 100% rg 和 uis 测试
1.6 mm 薄型封装
极低热阻