STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 10 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, STD12N60DM6
- RS 库存编号:
- 210-8740
- 制造商零件编号:
- STD12N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 包，共 5 件）*
¥68.71
(不含税)
¥77.64
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月17日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 + | RMB13.742 | RMB68.71 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 210-8740
- 制造商零件编号:
- STD12N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 390mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 90W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17nC | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 6.2 mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 390mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 90W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 6.2 mm | ||
高度 2.4mm | ||
长度 6.6mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics 高电压 n 沟道功率 mosfet 是 mesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与之前的 mesh 快速生成相比、 DM6 结合了极低的恢复电荷（ qrr ）、恢复时间（ trr ）和每个区域的 rds （接通）极佳改进、具有市场上最有效的切换行为之一、适用于最严苛的高效桥接拓扑和 zvs 相移转换器。
快速恢复体二极管
与上一代相比、每区域的 rds （接通）更低
低栅极电荷、输入电容和电阻
通过 100% 雪崩测试
dv/dt 稳定极高
提供齐纳保护