STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1700 V, 7 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCT1000N170, SCT1000N170系列
- RS 库存编号:
- 212-2092
- 制造商零件编号:
- SCT1000N170
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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- RS 库存编号:
- 212-2092
- 制造商零件编号:
- SCT1000N170
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1700V | |
| 系列 | SCT1000N170 | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.66Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最大功耗 Pd | 96W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 4.5V | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 20.15 mm | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 高度 | 5.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 7A | ||
最大漏源电压 Vd 1700V | ||
系列 SCT1000N170 | ||
包装类型 Hip-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.66Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最大功耗 Pd 96W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.3nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 4.5V | ||
最高工作温度 200°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 20.15 mm | ||
长度 15.75mm | ||
高度 5.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
SiC MOSFET
STMicroelectronics 功率 mosfet 利用宽带隙材料 Advanced 、 innovative properties 。这使得每个装置区域具有卓越的接通电阻和非常好的切换性能、几乎不受温度影响。sic 材料的出色热性能与专有 HiP247 封装中的器件外壳相结合、使设计人员可以使用行业标准轮廓、并显著提高热性能。
高速切换性能
非常快速且坚固的固有主体二极管
低电容