制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1700 V, Id=7 A, 3针, Hip-247, SCT1000N170系列

RS 库存编号:: 212-2092
制造商零件编号:: SCT1000N170
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1700 V, Id=7 A, 3针, Hip-247, SCT1000N170系列

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RS 库存编号:: 212-2092
制造商零件编号:: SCT1000N170
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	7A
	最大漏源电压 Vd	1700V
	系列	SCT1000N170
	包装类型	Hip-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.66Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	22V
	正向电压 Vf	4.5V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	13.3nC
	最大功耗 Pd	96W
	最高工作温度	200°C
	宽度	20.15mm
	长度	15.75mm
	标准/认证	No
	高度	5.15mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 7A
	最大漏源电压 Vd 1700V
	系列 SCT1000N170
	包装类型 Hip-247
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.66Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 22V
	正向电压 Vf 4.5V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.3nC
	最大功耗 Pd 96W
	最高工作温度 200°C
	宽度 20.15mm
	长度 15.75mm
	标准/认证 No
	高度 5.15mm
	汽车标准否

DataSheet - SCT1000N170

SiC MOSFET

STMicroelectronics 功率 mosfet 利用宽带隙材料 Advanced 、 innovative properties 。这使得每个装置区域具有卓越的接通电阻和非常好的切换性能、几乎不受温度影响。sic 材料的出色热性能与专有 HiP247 封装中的器件外壳相结合、使设计人员可以使用行业标准轮廓、并显著提高热性能。

高速切换性能

非常快速且坚固的固有主体二极管

低电容

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1700 V, Id=7 A, 3针, Hip-247, SCT1000N170系列

SiC MOSFET

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