STMicroelectronics N型沟道 MOSFET, Vds=1200 V, 45 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCTWA40N120G2V-4系列
- RS 库存编号:
- 212-2094P
- 制造商零件编号:
- SCTWA40N120G2V-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- 212-2094P
- 制造商零件编号:
- SCTWA40N120G2V-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 45A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | SCTWA40N120G2V-4 | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 70mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 3.3V | |
| 最大功耗 Pd | 277W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 61nC | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 21.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 45A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 SCTWA40N120G2V-4 | ||
包装类型 Hip-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 70mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 3.3V | ||
最大功耗 Pd 277W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 61nC | ||
最高工作温度 200°C | ||
高度 5.1mm | ||
长度 15.9mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 21.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
SiC MOSFET
STMicroelectronics SCTH35N65G2V 、 55 mΩ s5-7 st功率 sic mosfet 、带具有相同额定电压和同等通态电阻的沟道场停止（ tfs ）的栅格式（栅格）。即使在高温下、 st功率 sic mosfet 仍可显著降低开关损耗。这使设计人员可以在极高的切换频率下工作、减少无源元件的尺寸、适用于较小的形状规格。
极低的切换损耗
高温下具有低功率损耗
更高的工作温度（高达 200 ˚c ）
主体二极管、无恢复损耗
易于驱动