STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 40 A, PowerFLAT, 表面安装, 4引脚, SCTL35N65G2V系列
- RS 库存编号:
- 213-3941
- 制造商零件编号:
- SCTL35N65G2V
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 213-3941
- 制造商零件编号:
- SCTL35N65G2V
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 系列 | SCTL35N65G2V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 67mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 73nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 3.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最大功耗 Pd | 417W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 宽度 | 8.1 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
系列 SCTL35N65G2V | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 67mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 73nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 3.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最大功耗 Pd 417W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 8.1mm | ||
宽度 8.1 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.95mm | ||
汽车标准 否 | ||
意法半导体的 SCTL35N65G2V 碳化硅功率 MOSFET 器件采用先进、创新的第二代 SiC MOSFET 技术开发而成，单位面积导通电阻极低，开关性能极佳。
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
低电容
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