STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 119 A, Hip-247, 表面安装, 4引脚, SCTWA90N65G2V-4系列
- RS 库存编号:
- 213-3945P
- 制造商零件编号:
- SCTWA90N65G2V-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB266.60 |
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- RS 库存编号:
- 213-3945P
- 制造商零件编号:
- SCTWA90N65G2V-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 119A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 系列 | SCTWA90N65G2V-4 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 24mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 157nC | |
| 正向电压 Vf | 2.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最大功耗 Pd | 656W | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 宽度 | 21.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 119A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 Hip-247 | ||
系列 SCTWA90N65G2V-4 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 24mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 157nC | ||
正向电压 Vf 2.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最大功耗 Pd 656W | ||
最高工作温度 200°C | ||
长度 15.9mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 5.1mm | ||
宽度 21.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
意法半导体的 SCTWA90N65G2V-4 碳化硅功率 MOSFET 器件采用先进的创新型第二代 SiC MOSFET 技术开发而成，单位面积导通电阻极低，开关性能极佳。
高速开关性能
极高的工作结温能力
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
源传感引脚，提高效率