DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=6 A, 12针, VDFN, DMHT10H032LFJ系列
- RS 库存编号:
- 213-9147
- 制造商零件编号:
- DMHT10H032LFJ-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 10 - 740 | RMB16.867 | RMB168.67 |
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| 1500 + | RMB15.874 | RMB158.74 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 213-9147
- 制造商零件编号:
- DMHT10H032LFJ-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | DMHT10H032LFJ | |
| 包装类型 | VDFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.033Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 64W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 DMHT10H032LFJ | ||
包装类型 VDFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 12 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.033Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.3nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 64W | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
宽度 4.5mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
高度 0.8mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMHT10H032LFJ 系列是采用 h 桥配置的 n 沟道 mosfet 。
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