DiodesZetex , 1 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 1 A, US, 表面安装, 6引脚, DMN3190LDWQ系列
- RS 库存编号:
- 213-9186P
- 制造商零件编号:
- DMN3190LDWQ-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计 750 件 (以卷装提供)*
¥1,794.75
(不含税)
¥2,028.00
(含税)
有库存
- 17,600 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1450 | RMB2.393 |
| 1500 + | RMB2.321 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 213-9186P
- 制造商零件编号:
- DMN3190LDWQ-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | US | |
| 系列 | DMN3190LDWQ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.19Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 0.4W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.1 mm | |
| 长度 | 2.15mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 标准/认证 | UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 US | ||
系列 DMN3190LDWQ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.19Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 0.4W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.9nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.1 mm | ||
长度 2.15mm | ||
高度 0.95mm | ||
标准/认证 UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMN3190LDWQ 系列 mosfet 设计用于满足汽车应用的严格要求。
低输入电容
快速切换速度