DiodesZetex , 1 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 17.1 A, PowerDI5060, 表面安装, 8引脚, DMT6015LPDW系列, DMT6015LPDW-13
- RS 库存编号:
- 213-9212
- 制造商零件编号:
- DMT6015LPDW-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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- RS 库存编号:
- 213-9212
- 制造商零件编号:
- DMT6015LPDW-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerDI5060 | |
| 系列 | DMT6015LPDW | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.18Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 7.9W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| 正向电压 Vf | 0.7V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 6.4 mm | |
| 标准/认证 | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 17.1A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerDI5060 | ||
系列 DMT6015LPDW | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.18Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 7.9W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.6nC | ||
正向电压 Vf 0.7V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 6.4 mm | ||
标准/认证 MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
长度 5.15mm | ||
高度 1.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
DiodesZetex DMT6015LPDW 系列是双 n 沟道 mosfet 。它可用于背光、电源管理功能、电动机控制和直流 - 直流转换器。
100% 非钳制电感切换
生产测试–确保端部更可靠、更坚固 应用程序