DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 248 A, PowerDI1012, 表面安装, 8引脚, DMTH10H2M5STLWQ-13, DMTH10H2M5STLWQ系列
- RS 库存编号:
- 213-9228
- 制造商零件编号:
- DMTH10H2M5STLWQ-13
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥61.81
(不含税)
¥69.846
(含税)
有库存
- 另外 1,500 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 374 | RMB30.905 | RMB61.81 |
| 376 - 748 | RMB29.98 | RMB59.96 |
| 750 + | RMB29.085 | RMB58.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 213-9228
- 制造商零件编号:
- DMTH10H2M5STLWQ-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 248A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | DMTH10H2M5STLWQ | |
| 包装类型 | PowerDI1012 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 230.8W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.9 mm | |
| 长度 | 11.68mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 248A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 DMTH10H2M5STLWQ | ||
包装类型 PowerDI1012 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 230.8W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.9 mm | ||
长度 11.68mm | ||
高度 2.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
DiodesZetex DMTH10H2M5STLWQ 系列是 n 沟道 mosfet 、设计用于满足汽车应用的严格要求。
高转换率
湿式桌板、用于改进光学检验