Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=49 A, 8针, SuperSO, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 214-4328P
- 制造商零件编号:
- BSC117N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- BSC117N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 49A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | SuperSO | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 长度 | 5.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 49A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 SuperSO | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 11.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.2mm | ||
长度 5.35mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 5 系列 MOSFET，80V 漏源电压，49A 连续漏极电流 - BSC117N08NS5ATMA1
该 MOSFET 是一款表面安装 N 通道功率晶体管，专为紧凑型电子组件中的高电流开关而设计。它可在宽环境范围内运行，适用于需要高效传导和快速开关行为的应用。该设备采用八引脚 SuperSO 封装，适用于需要低导通电阻和相当大漏极电流能力的应用场景。
特性和优点：
• 11.7mΩ Rds(on) 可降低传导损耗
• 49A 连续漏电流,适用于重负载处理
• 80V 漏源额定值，适用于高压开关
• 15nC 栅极电荷，可实现灵敏的开关控制
• 50W 最大功耗，可实现稳健的热性能
• 49A 连续漏电流,适用于重负载处理
• 80V 漏源额定值，适用于高压开关
• 15nC 栅极电荷，可实现灵敏的开关控制
• 50W 最大功耗，可实现稳健的热性能
应用
• 适用于电子设备中的高效电源
• 适用于 DC-DC 转换器和同步整流
• 与需要较高电流容量的电机控制器配合使用
• 可用于电信和服务器配电
• 适用于紧凑型高密度表面安装组件
• 适用于 DC-DC 转换器和同步整流
• 与需要较高电流容量的电机控制器配合使用
• 可用于电信和服务器配电
• 适用于紧凑型高密度表面安装组件
它在运行过程中能承受哪些极端温度?
其指定工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，可适应恶劣的热条件。
封装如何助力板级设计？
SuperSO 八引脚布局和薄型 1.2mm 高度，可实现密集的组件布置和低电感路由。
传导过程中典型正向电压是多少?
该设备在指定的传导条件下具有 1.1V 正向电压，影响传导损耗的计算。
设计应允许的最大栅极应力是多少？
栅极驱动应保持在 ±20V 以内，以避免超过最大栅源额定电压。