Infineon N沟道MOSFET, Vds=150 V, Id=56 A, 8针, SuperSO, OptiMOS 5系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-4330P
制造商零件编号:
BSC160N15NS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

56A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

SuperSO

系列

OptiMOS 5

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

16mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

96W

最高工作温度

150°C

长度

5.35mm

高度

1.2mm

宽度

6.1mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon OptiMOS 5 系列 MOSFET，150V 最大漏源电压，56A 最大连续漏极电流 - BSC160N15NS5ATMA1


该 MOSFET 是一款高压 N 通道功率晶体管，专为需要高效开关和高电流容量的表面安装应用而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于苛刻的热环境，适用于需要采用 SuperSO 封装的紧凑型高性能设备的设计人员。

特性和优点：


• 150V漏极额定值可实现高压开关能力
• 16mΩ 的导通电阻可最大程度降低负载条件下的导通损耗
• 56A 连续漏极电流支持高电流设计
• 19nC 栅极电荷可减少驱动能量和开关损耗
• 96W 功耗，支持持续的热负载

应用


• 适用于工业设备中的 DC-DC 转换器
• 适用于电源的同步整流
• 用于需要高电流的电机驱动级
• 可用于电信配电模块
• 适用于服务器电源导轨中的高压开关

它在运行期间能承受怎样的极端温度？


其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在冷启动和高温环境中使用。

该封装提供多少连接引脚？


该封装提供八个引脚，便于紧凑的表面安装电路布局。

设计人员应允许的机械轮廓是多少？


该设备高度为 1.2mm，长度为 5.35mm，宽度为 6.1mm，适用于封装规划。

为确保可靠运行，必须遵守哪些栅极电压限制？


栅极与源极之间的驱动电压不得超过 ±20V，以避免损坏。

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