Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 1.5 A, US, 表面安装, 6引脚, OptiMOS 2系列
- RS 库存编号:
- 214-4333P
- 制造商零件编号:
- BSD214SNH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 214-4333P
- 制造商零件编号:
- BSD214SNH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | US | |
| 系列 | OptiMOS 2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 250mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| 最大功耗 Pd | 0.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.35 mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 2.02mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.5A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 US | ||
系列 OptiMOS 2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 250mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.8nC | ||
最大功耗 Pd 0.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.35 mm | ||
高度 1mm | ||
长度 2.02mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon ® 4 号小型信号晶体管符合 aec Q101 标准。
n 通道
增强型模式
超级逻辑电平（ 2.5v 额定电压）