Infineon , 1 P型, N型沟道 双 增强型 MOSFET 阵列, Vds=30 V, 2.3 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, OptiMOS系列, BSL308CH6327XTSA1
- RS 库存编号:
- 214-4335
- 制造商零件编号:
- BSL308CH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
¥134.55
(不含税)
¥152.05
(含税)
有库存
- 另外 11,350 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | RMB2.691 | RMB134.55 |
| 750 - 1450 | RMB2.61 | RMB130.50 |
| 1500 + | RMB2.532 | RMB126.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4335
- 制造商零件编号:
- BSL308CH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET 阵列 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 57mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | -5nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 0.6W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.6 mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| Distrelec Product Id | 304-39-398 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
产品类型 MOSFET 阵列 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.3A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TSOP | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 57mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs -5nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 0.6W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.6 mm | ||
长度 2.9mm | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, RoHS | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Distrelec Product Id 304-39-398 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
此 Infineon optios P3 + optimos 2 mosfet 是一个 n 沟道和 p 沟道功率 mosfet 、封装相同、是一种高效的发电解决方案（例如太阳能微型逆变器）、电源（例如服务器和电信）和功耗（例如电动车）。它是雪崩等级
它 100% 无铅且符合 rohs 标准