Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 200 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS7728NH6327XTSA2, SIPMOS系列

可享批量折扣

小计 800 件 (以卷装提供)*

¥669.60

(不含税)

¥756.80

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 74,600 件在 2026年4月06日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
800 - 1400RMB0.837
1600 +RMB0.812

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
214-4337P
制造商零件编号:
BSS7728NH6327XTSA2
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

200mA

最大漏源电压 Vd

60V

系列

SIPMOS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1nC

最大功耗 Pd

0.36W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

1.12mm

标准/认证

No

长度

3.04mm

汽车标准

AEC-Q101

此 Infineon 信号极小。它特别适用于空间受限的汽车和 / 或非汽车应用。它们几乎可用于所有应用、例如电池保护、电池充电、 led 照明等。

它无卤、符合 IEC61249 - 2-21 标准