Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=40 A, 8针, PQFN, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 214-4339P
- 制造商零件编号:
- BSZ034N04LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4339P
- 制造商零件编号:
- BSZ034N04LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.6mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.6mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.4mm | ||
高度 1.1mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 系列 MOSFET，40V 最大漏源电压，40A 最大连续漏极电流 - BSZ034N04LSATMA1
该 MOSFET 是一款表面安装 N 通道开关晶体管，专为功率转换和高电流应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要低导通损耗和快速开关的板载设计。
特性和优点：
• 导通电阻低至4.6mΩ，可降低导通损耗
• 连续漏极电流高达40A，支持重负载
• 40V 漏源额定值支持中压功率级
• 典型栅极电荷为 25nC，可实现更快的开关响应
• 功耗为 52W，可实现大量热处理
• 栅源极限电压为 20V，可防止驱动电压过高
• 连续漏极电流高达40A，支持重负载
• 40V 漏源额定值支持中压功率级
• 典型栅极电荷为 25nC，可实现更快的开关响应
• 功耗为 52W，可实现大量热处理
• 栅源极限电压为 20V，可防止驱动电压过高
应用
• 适用于DCDC转换器开关级应用
• 适用于电源的同步整流
• 与电机驱动半桥电路配合使用
• 可用于电池管理和配电
• 适用于高电流负载点模块
• 适用于电源的同步整流
• 与电机驱动半桥电路配合使用
• 可用于电池管理和配电
• 适用于高电流负载点模块
它在电路板上需要采用哪种安装方式？
它采用 PQFN 表面安装封装，专为焊接至 PCB 而设计，并通过封装焊盘布局实现热传导。
其热范围对部署有何影响？
额定温度范围为 -55 至 150°C，可放置在具有极端环境温度且较高结温的环境中，但需按照适当的热设计。
哪些栅极驱动因素适用于开关性能？
由于典型栅极电荷为 25nC，设计人员应提供足够的栅极驱动电流，以在管理 EMI 的同时实现有针对性的转换速度。
它是否配置为增强型操作？
该设备采用 N 通道传导模式，在搭配适当的栅极驱动和电平转换时，适用于低边和高边配置。