Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 40 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 5系列

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包装方式:
RS 库存编号:
214-4341P
制造商零件编号:
BSZ070N08LS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

OptiMOS 5

包装类型

PQFN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9.4mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14.1nC

最大功耗 Pd

69W

最高工作温度

150°C

高度

1.1mm

宽度

3.4 mm

标准/认证

No

长度

3.4mm

汽车标准

OptiMOSTM 5 功率 MOSFET 逻辑级别在小封装中提供低 RDS(接通)


Infineon 的 OptiMOSTM 5 功率 MOSFET 逻辑级别特别适用于无线充电、适配器和电信应用。设备的低门充电 (Q g)可减少开关损耗,而不会损害导电损耗。改进的优势形状允许在高切换频率下操作。此外,逻辑电平驱动器提供低门门门槛电压(V GS(th)) 允许 MOSFET 以 5V 和直接从微控制器驱动。

功能摘要


  • 低R 外勤人员(在) 小型包装

  • 低门收费

  • 输出费用较低

  • 逻辑级别兼容性

  • 福利


  • 更高的功率密度设计

  • 更高的切换频率

  • 无论提供 5V 电源,部件数量都会减少

  • 直接从微控制器驱动(慢切换)

  • 降低系统成本

  • 潜在应用


  • 无线充电

  • 适配器

  • 电信