Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 40 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 214-4341P
- 制造商零件编号:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 214-4341P
- 制造商零件编号:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.4mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14.1nC | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.4mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14.1nC | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 3.4 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
OptiMOSTM 5 功率 MOSFET 逻辑级别在小封装中提供低 RDS(接通)
Infineon 的 OptiMOSTM 5 功率 MOSFET 逻辑级别特别适用于无线充电、适配器和电信应用。设备的低门充电 (Q g)可减少开关损耗,而不会损害导电损耗。改进的优势形状允许在高切换频率下操作。此外,逻辑电平驱动器提供低门门门槛电压(V GS(th)) 允许 MOSFET 以 5V 和直接从微控制器驱动。
