Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=62 A, 8针, PQFN, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 214-4343P
- 制造商零件编号:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 214-4343P
- 制造商零件编号:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 62A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.5mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 62A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.5mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 3.4mm | ||
长度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
此 Infineon mosfet 提供了最先进的沟道 mosfet r ds （ on ）以及经典平面 mosfet 的安全工作区域。
它特别适用于热插拔和电熔丝应用