Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=40 A, 8针, PQFN, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 214-4345P
- 制造商零件编号:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 214-4345P
- 制造商零件编号:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 11mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.4mm | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 5 系列 MOSFET，80V 最大漏源电压，40A 最大连续漏极电流 - BSZ110N08NS5ATMA1
该 MOSFET 是一款高功率 N 通道半导体设备，专为苛刻环境中的表面安装电源开关和转换而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于工业任务，并提供稳健的电流处理和低压降，支持高效的功率级和紧凑的热设计。
特性和优点：
• 80V漏极电压，支持高压开关应用
• 11mΩ 低 Rds(on)，可在高电流下减少传导损耗
• 40A的连续漏极电流，支持重载运行
• 15nC 典型栅极电荷，可实现快速高效的栅极开关
• 50W 功耗可实现显著的热处理
• 1.2V正向电压可最大限度降低二极管导通损耗
• 11mΩ 低 Rds(on)，可在高电流下减少传导损耗
• 40A的连续漏极电流，支持重载运行
• 15nC 典型栅极电荷，可实现快速高效的栅极开关
• 50W 功耗可实现显著的热处理
• 1.2V正向电压可最大限度降低二极管导通损耗
应用
• 适用于电源的同步降压转换器
• 适用于大电流电机驱动装置级应用
• 与电信设备中的 DC-DC 转换模块配合使用
• 可用于电池管理和充电系统
• 适用于高功率 LED 驱动电路
• 适用于大电流电机驱动装置级应用
• 与电信设备中的 DC-DC 转换模块配合使用
• 可用于电池管理和充电系统
• 适用于高功率 LED 驱动电路
电路板组装需要哪种安装方式？
它采用 PQFN 封装，适用于表面安装布置，需要平坦的 PCB 焊盘布局和热过孔。
该设备在运行过程中如何处理极端温度？
其额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在恶劣的工业温度环境中使用。
建议考虑哪些栅极驱动因素？
最大栅源额定电压为 20V，典型总栅极电荷为 15nC，因此建议使用具备快速充电/放电能力且压摆率可控的驱动器。
哪些传导特性会影响 PCB 热设计？
其 11mΩ 的低漏源电阻可降低 I²R 损耗，将重点转移到管理开关和封装散热路径。