Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, IPB017N10N5LFATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 214-4364
- 制造商零件编号:
- IPB017N10N5LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4364
- 制造商零件编号:
- IPB017N10N5LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 195nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 313W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.45 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 195nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 313W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.57mm | ||
长度 10.31mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.45 mm | ||
汽车标准 否 | ||
结合低 RDS(on) 和宽安全操作区域 (SOA)
OptiMOSTM 线性 FET 是一种革命性的方法,可避免接通状态电阻 (R DS(on)) 和线性模式能力之间的妥协 - 在增强模式 MOSFET 的饱和区域内操作。它提供隧道 MOSFET 的最先进的 R DS(on),以及经典平面 MOSFET 的宽安全操作区域。
功能摘要
• 结合低 R DS(on) 和宽安全操作区域 (SOA)
• 高最大脉冲电流
• 高连续脉冲电流
福利
• 坚固的线性模式操作
• 低导电损耗
• 启用更高的跳闸电流,实现更快的启动和更短的停机时间
潜在应用
• 电信
• 电池管理