Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=180 A, 7针, TO-263, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 214-4364P
- 制造商零件编号:
- IPB017N10N5LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 195nC | |
| 最大功耗 Pd | 313W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 9.45mm | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 195nC | ||
最大功耗 Pd 313W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 9.45mm | ||
高度 4.57mm | ||
长度 10.31mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 系列 MOSFET，100V 最大漏源电压，180A 最大连续漏极电流 - IPB017N10N5LFATMA1
这款 MOSFET 是一款大电流 N 通道开关晶体管，专为高要求电源应用而设计。它可在宽温度范围内工作，并采用表面贴装 TO-263 封装，便于集成到紧凑型组件上。该设备旨在用于 100V 级系统中需要高效导通与稳健开关的场合。
特性和优点：
• 1.7mΩ Rds(on) 可实现低导通损耗和更高效率
• 180A 连续漏极电流支持重负载电流
• 100V 漏源额定值，适用于高压开关应用
• 313W 功耗，可持续处理热负载
• 195nC 典型栅极电荷有助于控制栅极驱动动态特性
• 20V 栅极容限允许灵活的栅极驱动电压
• 180A 连续漏极电流支持重负载电流
• 100V 漏源额定值，适用于高压开关应用
• 313W 功耗，可持续处理热负载
• 195nC 典型栅极电荷有助于控制栅极驱动动态特性
• 20V 栅极容限允许灵活的栅极驱动电压
应用
• 适用于工业电源的DCDC转换器
• 适用于高电流同步整流级
• 用于需要稳健开关元件的电机驱动器
• 可用于电信设备中的配电
• 适用于服务器电源模块和数据中心电源
• 适用于高电流同步整流级
• 用于需要稳健开关元件的电机驱动器
• 可用于电信设备中的配电
• 适用于服务器电源模块和数据中心电源
它在运行时能够耐受的温度范围是多少？
它可在 -55°C 至 150°C 的范围内工作，涵盖扩展的工业和嵌入式环境。
进行 PCB 布局时，设计人员应考虑什么封装？
它采用 TO-263 表面贴装封装，需要热焊盘图案来实现有效散热。
该设备提供多少个引脚用于连接？
该元件具有 7 个引脚，以容纳电源和栅极连接以及封装锚点。
它使用什么类型的通道，这如何影响电路设计？
它是一款 N 通道设备，在低侧开关和同步整流器配置中很常见。