Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB120N08S403ATMA1, OptiMOS -T2系列
- RS 库存编号:
- 214-4366P
- 制造商零件编号:
- IPB120N08S403ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 250 件 (以卷装提供)*
¥11,555.50
(不含税)
¥13,057.75
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 220 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 495 | RMB46.222 |
| 500 + | RMB44.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4366P
- 制造商零件编号:
- IPB120N08S403ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | OptiMOS -T2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 128nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.02mm | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.27 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 OptiMOS -T2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 128nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.02mm | ||
高度 4.5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.27 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
此 Infineon T2 mosfet 经过 100% 雪崩测试、符合 rohs 标准。
符合 aec Q101 标准