Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=26 A, 3针, TO-263, 600V CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 214-4368P
- 制造商零件编号:
- IPB60R120P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- IPB60R120P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | 600V CoolMOS P7 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 120mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 95W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 长度 | 10.02mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.27mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 26A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 600V CoolMOS P7 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 120mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 95W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.5mm | ||
长度 10.02mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.27mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 600V CoolMOS P7 系列 MOSFET，600V 漏源电压，26A 连续漏极电流 - IPB60R120P7ATMA1
这款 MOSFET 是一款高压 N 通道增强型设备，专为苛刻热环境中的开关和功率转换任务而设计。它可在扩展温度范围内工作，适用于需要高压阻断和大连续电流能力的电力电子电路中的表面贴装组装。
特性和优点：
• 600V 漏极电压可支持高压系统设计
• 26A 连续电流支持稳健的负载处理
• 120mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 36nC 典型栅极电荷可实现可预测的驱动尺寸设计
• 95W 最大功耗允许提高功率吞吐量
• 0.9V 正向电压限制了同步电路中的二极管压降
• 26A 连续电流支持稳健的负载处理
• 120mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 36nC 典型栅极电荷可实现可预测的驱动尺寸设计
• 95W 最大功耗允许提高功率吞吐量
• 0.9V 正向电压限制了同步电路中的二极管压降
应用
• 适用于离线开关模式电源
• 非常适合谐振和硬开关转换器
• 用于高压电机驱动前端
• 可用于工业设备中的辅助电源轨
• 适用于高温电子控制柜
• 非常适合谐振和硬开关转换器
• 用于高压电机驱动前端
• 可用于工业设备中的辅助电源轨
• 适用于高温电子控制柜
电路板安装使用什么封装类型？
它采用适合表面贴装的 TO-263 封装，便于热传导至 PCB 焊盘图案。
工作中设备如何承受极端温度？
它规定可在 -55°C 至 150°C 的范围内工作，允许在具有宽温度波动的环境中使用。
我应该注意哪些栅极驱动限制？
最大栅源电压额定值为 20V，因此驱动电路必须保持在该阈值内，以避免栅极损坏。
哪些开关行为会影响布局决策？
该设备的 36nC 典型栅极电荷及其 Rds(on) 值会影响栅极驱动器电流需求以及用于最小化 I2R 损耗的铜箔宽度。