Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=12 A, 3针, TO-263, 600V CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 214-4370P
- 制造商零件编号:
- IPB60R280P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | 600V CoolMOS P7 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 280mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 53W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 宽度 | 9.27mm | |
| 长度 | 10.02mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 600V CoolMOS P7 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 280mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 53W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 4.5mm | ||
宽度 9.27mm | ||
长度 10.02mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 600V CoolMOS P7 系列 MOSFET，600V 漏源电压，12A 连续漏极电流 - IPB60R280P7ATMA1
这款 MOSFET 是一款高压 N 通道增强型设备，专为苛刻电子系统中的功率开关而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要稳健电压处理和受控栅极驱动的表面贴装应用。该组件适用于需要高压阻断、适度导通电流和紧凑安装的设计。
特性和优点：
• 600V漏源极额定电压，具备高压开关能力
• 12A持续漏极电流，用于承受持续负载
• 280mΩ Rds(on) 可在正常工作条件下实现高效导通
• 18nC 典型栅极电荷可实现可预测的开关能量
• 53W 最大功耗为功率级提供热裕量
• 20V 栅极容限兼容常见栅极驱动器
• 12A持续漏极电流，用于承受持续负载
• 280mΩ Rds(on) 可在正常工作条件下实现高效导通
• 18nC 典型栅极电荷可实现可预测的开关能量
• 53W 最大功耗为功率级提供热裕量
• 20V 栅极容限兼容常见栅极驱动器
应用
• 适用于离线式电源和 SMPS 主开关
• 非常适合高压 DC-DC 转换器和电源模块
• 用于电源调节中的整流和缓冲网络
• 可用于工业电机驱动前端
• 用于需要节省空间安装的电信电源系统
• 非常适合高压 DC-DC 转换器和电源模块
• 用于电源调节中的整流和缓冲网络
• 可用于工业电机驱动前端
• 用于需要节省空间安装的电信电源系统
它需要什么封装和安装方式？
它采用适用于表面贴装组装的 TO-263 封装，可实现薄型电路板集成和高效的电路板级热传导。
其在高温环境中的使用受哪些热限制约束？
该设备的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，定义了在该范围内可靠工作所允许的环境和结温条件。
栅极规格如何影响外部驱动器的选择？
最大栅源电压为 20V，在根据所需的开关速度确定驱动电流尺寸时，驱动器应将峰值 Vgs 保持在此界限内，并考虑 18nC 的典型栅极电荷。
设计人员在连续负载下应预期怎样的导通行为？
预期连续漏极电流高达 12A，传导损耗受指定的 280mΩ 导通电阻和整体电路板热设计的影响。