Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=9 A, 3针, TO-263, 600V CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 214-4372P
- 制造商零件编号:
- IPB60R360P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- IPB60R360P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | 600V CoolMOS P7 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 360mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 41W | |
| 正向电压 Vf | 900mV | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.27mm | |
| 长度 | 10.02mm | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 600V CoolMOS P7 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 360mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 41W | ||
正向电压 Vf 900mV | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.27mm | ||
长度 10.02mm | ||
高度 4.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 600V CoolMOS P7 系列 MOSFET，600V 漏源电压，9A 连续漏极电流 - IPB60R360P7ATMA1
这款 MOSFET 是一款高压 N 通道设备，专为工业电源系统中的开关和功率转换应用而设计。它采用 TO-263 表面贴装封装，适用于需要在升高温度范围内进行稳健栅极控制和大漏极电流处理的应用。
特性和优点：
• 600V 漏源额定值可实现高压开关能力
• 9A 连续漏极电流支持大负载电流
• 360mΩ Rds(on) 可减少负载下的传导损耗
• 41W 最大功耗可在运行过程中管理热应力
• 13nC 典型栅极电荷可实现高效的栅极驱动转换
• 20V 最大栅源容限允许使用常见的栅极驱动电压
• 9A 连续漏极电流支持大负载电流
• 360mΩ Rds(on) 可减少负载下的传导损耗
• 41W 最大功耗可在运行过程中管理热应力
• 13nC 典型栅极电荷可实现高效的栅极驱动转换
• 20V 最大栅源容限允许使用常见的栅极驱动电压
应用
• 用于高压电源开关级
• 适用于工业 AC/DC 转换模块
• 非常适合副边同步整流应用
• 可用于高压电机驱动辅助电路
• 用于需要三端功率器件的表面贴装组件
• 适用于工业 AC/DC 转换模块
• 非常适合副边同步整流应用
• 可用于高压电机驱动辅助电路
• 用于需要三端功率器件的表面贴装组件
它在工作过程中可耐受哪些极端温度？
它可在 -55°C 至 150°C 的范围内工作，可在恶劣的热环境中部署。
它采用什么封装和安装方法进行电路板集成？
它采用专为表面贴装设计的 TO-263 封装，以利于热接触和自动化组装。
该设备如何处理快速开关的栅极驱动要求？
它的典型栅极电荷为 13nC，栅源电压极限为 20V，在使用常见栅极驱动电压的同时支持快速开关。
该晶体管采用什么极性和控制模式？
它是一款 N 型增强型设备，适用于低边和高边开关拓扑。