Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 21 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS 3系列
- RS 库存编号:
- 214-4380
- 制造商零件编号:
- IPD530N15N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥11,622.50
(不含税)
¥13,132.50
(含税)
有库存
- 10,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | RMB4.649 | RMB11,622.50 |
| 12500 + | RMB4.556 | RMB11,390.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4380
- 制造商零件编号:
- IPD530N15N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 53mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.35mm | |
| 长度 | 6.65mm | |
| 宽度 | 6.42 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 53mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.35mm | ||
长度 6.65mm | ||
宽度 6.42 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
此 Infineon ® mosfet 特别适用于高频开关和同步整流。它符合用于目标应用的符合 dec 标准
它无卤、符合 IEC61249 - 2-21 标准