Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=18 A, 3针, TO-252, 600V CoolMOS P7系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-4386
制造商零件编号:
IPD60R180P7SAUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

600V CoolMOS P7

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

180mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

72W

正向电压 Vf

0.9V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最高工作温度

150°C

长度

6.65mm

宽度

6.42mm

标准/认证

No

高度

2.35mm

汽车标准

否

600V cool mos P7 超结 mosfet 在设计过程中继续平衡对高效率的需求和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg) 确保了其高效率。

它具有坚固的主体二极管

集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度

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