Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 18 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, 600V CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 214-4386P
- 制造商零件编号:
- IPD60R180P7SAUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IPD60R180P7SAUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | 600V CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 180mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 72W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25nC | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.65mm | |
| 高度 | 2.35mm | |
| 宽度 | 6.42 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 600V CoolMOS P7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 180mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 72W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.65mm | ||
高度 2.35mm | ||
宽度 6.42 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
600V cool mos P7 超结 mosfet 在设计过程中继续平衡对高效率的需求和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg) 确保了其高效率。
它具有坚固的主体二极管
集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度