Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=120 V, Id=70 A, 3针, TO-252, OptiMOS-T系列

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RS 库存编号:
214-4389
制造商零件编号:
IPD70N12S311ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

70A

最大漏源电压 Vd

120V

系列

OptiMOS-T

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

11.1mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

125W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

51nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

长度

6.65mm

标准/认证

No

高度

2.35mm

宽度

6.42mm

汽车标准

AEC-Q101

此 Infineon ® mosfet 适用于汽车应用、经过 100% 雪崩测试。

它无卤、符合 IEC61249 - 2-21 标准

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