Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 3.9 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD80R1K4CEATMA1, CoolMOS CE系列
- RS 库存编号:
- 214-4396
- 制造商零件编号:
- IPD80R1K4CEATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 15 - 615 | RMB7.382 | RMB110.73 |
| 630 - 1230 | RMB7.16 | RMB107.40 |
| 1245 + | RMB6.945 | RMB104.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4396
- 制造商零件编号:
- IPD80R1K4CEATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | CoolMOS CE | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 63W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.65mm | |
| 高度 | 2.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 3.9A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 CoolMOS CE | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 63W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.65mm | ||
高度 2.35mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
此 Infineon 800V cool mos ce mosfet 具有高电压能力、将安全性与性能和坚固性相结合、可在最高效率水平实现稳定的设计。
它符合 rohs 标准