Infineon N沟道MOS管, Vds=800 V, 3.9 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, CoolMOS™ CE系列
- RS 库存编号:
- 214-4396P
- 制造商零件编号:
- IPD80R1K4CEATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4396P
- 制造商零件编号:
- IPD80R1K4CEATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.9 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 系列 | CoolMOS™ CE | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 1.4. Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3.9V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.9 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
系列 CoolMOS™ CE | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 1.4. Ω | ||
最大栅阈值电压 3.9V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
此 Infineon 800V cool mos ce mosfet 具有高电压能力、将安全性与性能和坚固性相结合、可在最高效率水平实现稳定的设计。
它符合 rohs 标准