Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 4 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, 800V CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 214-4401
- 制造商零件编号:
- IPN80R1K4P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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¥8,853.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB2.951 | RMB8,853.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4401
- 制造商零件编号:
- IPN80R1K4P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | 800V CoolMOS P7 | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最大功耗 Pd | 7W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 宽度 | 3.7 mm | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 800V CoolMOS P7 | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最大功耗 Pd 7W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.7mm | ||
宽度 3.7 mm | ||
高度 1.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 800V cool mos P7 超结 mosfet 系列可完全满足市场对性能、易用性和性价比的需求、因此非常适合低功率的开关电源应用。它主要用于回飞应用、包括适配器和充电器、 led 驱动器、音频开关电源、辅助和工业电源。
它具有完全优化的产品组合
它的装配成本更低