Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=50 A, 3针, TO-220, OptiMOS 3系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-4412
Distrelec 货号:
304-31-967
制造商零件编号:
IPP200N15N3GXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

TO-220

系列

OptiMOS 3

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

20mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最大功耗 Pd

150W

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

宽度

15.93mm

标准/认证

No

高度

4.4mm

长度

10.2mm

汽车标准

否

此 Infineon ® mosfet 特别适用于高频开关和同步整流。它符合用于目标应用的符合 dec 标准

它无卤、符合 IEC61249 - 2-21 标准

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