Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 12.5 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IPSA70R360P7SAKMA1, 700V CoolMOS P7系列

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214-4422
制造商零件编号:
IPSA70R360P7SAKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12.5A

最大漏源电压 Vd

700V

包装类型

IPAK

系列

700V CoolMOS P7

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

360mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.9V

最大功耗 Pd

59.5W

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

16 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.4nC

最高工作温度

150°C

宽度

6.1 mm

标准/认证

No

高度

2.3mm

长度

6.6mm

汽车标准

700V cool mos P7 超结 mosfet 系列通过提供基本性能增益、可满足低功率开关电源市场的需求、如手机充电器或笔记本电脑适配器。

它支持更少的磁性尺寸、 bom 成本更低

它具有高 esd 坚固性