制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=48 A, 3针, TO-247, 600V CoolMOS P7系列

RS 库存编号:: 214-4434
制造商零件编号:: IPW60R060P7XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=48 A, 3针, TO-247, 600V CoolMOS P7系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 2 件）*

RMB118.69

(不含税)

RMB134.12

(含税)

有库存

另外 82 件在 2026年9月14日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
2 - 6	RMB59.345	RMB118.69
8 - 14	RMB57.565	RMB115.13
16 +	RMB55.83	RMB111.66

* 参考价格

RS 库存编号:: 214-4434
制造商零件编号:: IPW60R060P7XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	48A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	TO-247
	系列	600V CoolMOS P7
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	60mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	67nC
	最大功耗 Pd	164W
	正向电压 Vf	0.9V
	最大栅源电压 Vgs	4V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 48A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 TO-247
	系列 600V CoolMOS P7
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 60mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 67nC
	最大功耗 Pd 164W
	正向电压 Vf 0.9V
	最大栅源电压 Vgs 4V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPW60R060P7XKSA1

600V cool mos P7 超结 mosfet 在设计过程中继续平衡对高效率的需求和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg) 确保了其高效率。

它具有坚固的主体二极管

集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度

相关链接