Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=82 A, 3针, TO-263, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 214-4444P
- 制造商零件编号:
- IRF2807STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 214-4444P
- 制造商零件编号:
- IRF2807STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 82A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 230W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 160nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 82A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 13mΩ | ||
最大功耗 Pd 230W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 160nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
此 Infineon ex场 功率 mosfet 利用先进 Advanced 处理技术，可在每个硅片区域实现极低的接通电阻。此优势结合了快速切换速度和耐震性 设备设计提供可靠且高效的设备
它具有完全耐雪崩等级