Infineon N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=87 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-4451
制造商零件编号:
IRF3709ZSTRRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

87A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

7.8mΩ

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

26nC

最大功耗 Pd

79W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

否

此 Infineon ex场 mosfet 经优化可用于低 rds （接通）和高电流容量。它特别适用于需要性能和的低频应用 坚固性

它具有符合 dec 标准的产品认证

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