Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 87 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF3709ZSTRRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 214-4451
- 制造商零件编号:
- IRF3709ZSTRRPBF
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4451
- 制造商零件编号:
- IRF3709ZSTRRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 87A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.8mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 79W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 87A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.8mΩ | ||
最大功耗 Pd 79W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
此 Infineon ex场 mosfet 经优化可用于低 rds （接通）和高电流容量。它特别适用于需要性能和的低频应用 坚固性
它具有符合 dec 标准的产品认证