Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 56 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 750 件 (以卷装提供)*

RMB7,773.00

(不含税)

RMB8,783.25

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 2,220 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
750 - 1485RMB10.364
1500 +RMB10.053

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
214-4457P
制造商零件编号:
IRFR3710ZTRLPBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

56A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-252

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

18mΩ

最大功耗 Pd

140W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

100nC

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

否

此 hex场 效应功率 mosfet 利用最新的处理技术、在每个硅片区域实现极低的接通电阻。此设计的其他特点包括 175°c 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。

其设计极其高效且可靠

相关链接