Infineon N沟道MOS管, Vds=55 V, 51 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 214-4463
- 制造商零件编号:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4463
- 制造商零件编号:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 51 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0136 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 51 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.0136 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
此 Infineon 强电源 mosfet 经优化可用于低 rds （接通）和高电流容量。它特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。
它针对同步整流进行了优化