Infineon N沟道MOSFET, Vds=55 V, Id=51 A, 3针, TO-263, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 214-4464P
- 制造商零件编号:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 214-4464P
- 制造商零件编号:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 51A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.6mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 82W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 51A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.6mΩ | ||
最大功耗 Pd 82W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
此 Infineon 强电源 mosfet 经优化可用于低 rds （接通）和高电流容量。它特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。
它针对同步整流进行了优化