Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=200 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

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RS 库存编号:
214-4467
制造商零件编号:
IRL1404ZSTRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

200A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

5.9mΩ

最大栅源电压 Vgs

16V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

110nC

最大功耗 Pd

230W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

此 Infineon 利用最新的处理技术、可实现每个硅区域极低的接通电阻。此设计的其他功能包括 175°C 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。

它无铅

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