onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=75 A, 3针, TO-247, FCH029N系列
- RS 库存编号:
- 214-8791P
- 制造商零件编号:
- FCH029N65S3-F155
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 214-8791P
- 制造商零件编号:
- FCH029N65S3-F155
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | FCH029N | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 29mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 463W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 201nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | These Devices are Pb-Free and are RoHS | |
| 宽度 | 21.1mm | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 FCH029N | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 29mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 463W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 201nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 These Devices are Pb-Free and are RoHS | ||
宽度 21.1mm | ||
高度 5.1mm | ||
长度 15.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor mosfet 是−μ m 全新高电压 super−m ² 结 mosfet 系列，它采用电荷平衡技术，可提供卓越的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。此先进 Advanced 技术可有效减少传导损耗、提供卓越的切换性能和耐受极端 dv/dt 速率。
无铅
符合 RoHS