onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 116 A, DFN, 表面安装, 8引脚, NTMFSC4D2N10MC, NTMFS系列
- RS 库存编号:
- 214-8903
- 制造商零件编号:
- NTMFSC4D2N10MC
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥103.25
(不含税)
¥116.65
(含税)
有库存
- 2,470 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | RMB20.65 | RMB103.25 |
| 750 - 1495 | RMB20.028 | RMB100.14 |
| 1500 + | RMB19.432 | RMB97.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-8903
- 制造商零件编号:
- NTMFSC4D2N10MC
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 116A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 系列 | NTMFS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 122W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.85V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 宽度 | 6.25 mm | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 116A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 DFN | ||
系列 NTMFS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 122W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.85V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 0.95mm | ||
宽度 6.25 mm | ||
长度 5.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor ntmfs 系列是 n 沟道 mosfet 、其漏极到电源电压为 100 伏它通常用于同步整流和直流 - 直流转换。
无铅
符合 RoHS